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Emerging Resistive Switching Memories

Sprache EnglischEnglisch
Buch Broschur
Buch Emerging Resistive Switching Memories Jianyong Ouyang
Libristo-Code: 02942824
Verlag Springer International Publishing AG, Juli 2016
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric... Vollständige Beschreibung
? points 132 b
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This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.§

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Informationen zum Buch

Vollständiger Name Emerging Resistive Switching Memories
Autor Jianyong Ouyang
Sprache Englisch
Einband Buch - Broschur
Datum der Veröffentlichung 2016
Anzahl der Seiten 93
EAN 9783319315706
ISBN 3319315706
Libristo-Code 02942824
Verlag Springer International Publishing AG
Gewicht 1708
Abmessungen 155 x 235 x 7

Kategorie

Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Elektronik, Nachrichtentechnik > Elektronik > Schaltkreise und Komponenten (Bauteile)
Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Elektronik, Nachrichtentechnik > Elektronik > Elektronische Geräte und Materialien
Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Technologie, allgemein > Nanotechnologie
Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Maschinenbau und Werkstoffe > Materialwissenschaft
EDV und Informationstechnologie > Computerhardware > Speichermedien und Peripheriegeräte
EDV und Informationstechnologie > Informatik > Rechnerarchitektur und Logik-Entwurf
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