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Nanoelectronic devices in InGaAs/InP

Name: Nanoelectronic devices in InGaAs/InP
Brand: VDM Verlag
SKU: 06828634
Price: 41.59 EUR
Availability: InStock
Author: Jie Sun
ISBN: 9783639206685

Jie Sun

Sprache

Englisch

Buch Broschur

Libristo-Code: 06828634

Verlag VDM Verlag, Oktober 2009

As current silicon-based microelectronic devices and circuits are approaching their fundamental limi... Vollständige Beschreibung

Libristo-Code: 06828634

102 b

41.59 € inkl. MwSt.

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As current silicon-based microelectronic devices and circuits are approaching their fundamental limits, the research field of nanoelectronics is emerging worldwide. Materials other than silicon and device principles other than complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) are being investigated. With this background, the present book focuses on nanoelectronic devices in InGaAs/InP based on ballistic and quantum effects. The main material studied was a modulation doped InGaAs/InP two-dimensional electron gas. The book covers mainly three types of devices and their twofold integration: in-plane gate transistors, three-terminal ballistic junctions and quantum dots. Novel device properties were studied in detail. The author hopes the results presented in this book to be a valuable contribution to the nanoelectronic research on InP-based semiconductors. The book should be interesting to semiconductor material scientists, device physicists and electronic engineers.

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Informationen zum Buch

Vollständiger Name Nanoelectronic devices in InGaAs/InP

Autor Jie Sun

Sprache

Englisch

Einband Buch - Broschur

Datum der Veröffentlichung 2009

Anzahl der Seiten 84

EAN 9783639206685

ISBN 3639206681

Libristo-Code 06828634

Verlag VDM Verlag

Gewicht 136

Abmessungen 152 x 229 x 5

Kategorie

Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Elektronik, Nachrichtentechnik > Elektronik

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