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laboration de Nano-Objets Cristallins (Si Sige) Par Rtcvd
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Aujourd'hui, la loi de Moore est affectée par les limitations physiques rencontrées dans les technologies avancées entrainant ainsi leur complexification. Il devient alors nécessaire de développer de nouveaux procédés, comme illustré dans le cas de l'épitaxie. Parce que les procédés CVD sont devenus trčs performants, ils offrent des solutions technologiques qui permettent de poursuivre la miniaturisation des composants grâce ŕ leur intégration décisive dans ces technologies. L'objectif de cette thčse est donc de répondre ŕ cette demande de nouveaux procédés par l'étude de l'élaboration de nano-objets Si & SiGe réalisés par RTCVD. Dans cet ouvrage, nous discutons des caractéristiques physiques des films Si & SiGe déposés (ou gravés) en fonction de paramčtres physiques (orientation cristalline, température...) et de paramčtres liés aux impératifs de production (effets de charge, choix d'un procédé...). Dans une derničre partie, nous présentons l'effet de recuits sur des objets Si & SiGe de géométrie et de taille différentes. L'ensemble de nos résultats nous a alors permis d'intégrer efficacement une étape d'épitaxie dans la fabrication d'un dispositif avancé; le transistor FinFET.
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