Sprawdzić stan zamówienia

Zostań członkiem wspólnoty miłośników książek z całego świata i zyskaj mnóstwo korzyści. Załóż konto bezpłatnie

Kurier DPD 4.49 € Kurier Hermes 4.99 € Kurier DHL 3.99 € Punkt Hermes 4.49 € Punkt DPD 2.99 € Kurier GLS 4.99 €

Kontakt

Jak kupować

Pomoc

Moje konto

▸ Pusty :-(

Analysis and Design of MOSFETs

Name: Analysis and Design of MOSFETs
Brand: Springer-Verlag New York Inc.
SKU: 02180654
Price: 144.29 EUR
Availability: InStock
Author: uin Jei Liou
ISBN: 9781461374732

Modeling, Simulation, and Parameter Extraction

uin Jei Liou

Adelmo Ortiz-Conde

Francisco Garcia-Sanchez

Język

Angielski

Książka Miękka

Kod Libristo: 02180654

Wydawnictwo Springer-Verlag New York Inc., wrzesień 2012

Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book dev... Cały opis

Kod Libristo: 02180654

353 b

144.29 € včetně DPH

Dostępna u dostawcy Wysyłamy za 5-8 dni

Nawet do 30 dni na zwrot

Klienci kupili także

Die Aufbauschneidenbildung Bei Der Spanabhebenden Bearbeitung Herwart Opitz

Miękka

79.99 €

Henry Richard Gwyn Griffiths

Miękka

9.19 €

A gyermekkor titka Maria Montessori

Twarda

12.69 €

Cesty Matky Boží Max Foran

Twarda

10.29 €

Jahrbücher für Kunstwissenschaft Albert Zahn

Miękka

31.90 €

Repetytorium maturalne. Język niemiecki + mp3 Kinga Olech

Miękka

22.09 €

Operation Walküre - Das Stauffenberg Attentat, 1 Blu-ray Bryan Singer

Blu-ray

14.99 €

Zakreślacz Stabilo neon 4 sztuki mix

Audio

3.39 €

Buio Dacia Maraini

Miękka

12.09 €

Riskante Konzepte Andreas Lawaty

Twarda

22.00 €

Die Kunst der Fingerfertigkeit op.740, für Klavier Carl Czerny

Miękka

31.89 €

Internationalisierung von E-Commerce-Geschaften Franziska Stallmann

Miękka

44.99 €

Abenteuerliche Briefe von Felix Annette Langen

Twarda

18.00 €

Erkenntnis und Täuschung - Untersuchungen zur frühen Mikroskopie im 17. Jahrhundert Robert Hanulak

Miękka

21.59 €

The Gatekeepers Dror Moreh

Twarda

22.99 €

Beowulf Martin Lehnert

Miękka

8.00 €

Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). These issues include MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters, such as the threshold voltage, effective channel lengths, and series resistances, is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers. §Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction, extensively referenced, and containing more than 180 illustrations, is an innovative and integral new book on MOSFETs design technology.